Diamante Hpht

Los diamantes sintéticos se sintetizan artificialmente en el laboratorio y tienen básicamente las mismas propiedades físicas, composición química y estructura cristalina que los diamantes naturales. Los métodos actuales para sintetizar diamantes incluyen principalmente la síntesis a alta temperatura y alta presión (síntesis HPHT) y la deposición química en fase vapor (CVD), que también se denominan como diamante hpht y diamante cvd.

Descripción

El principio del diamante sintético de alta temperatura y alta presión (diamante Hpht)

El método de síntesis de alta temperatura y alta presión también se denomina método de catalizador de semillas. El grafito es una fase estable a baja presión y el diamante (el nombre mineralógico del diamante) es una fase estable a alta presión. La conversión directa de grafito a diamante requiere condiciones de presión y temperatura muy altas, generalmente se requieren 10 GPa y una presión y temperatura por encima de 3000 ℃. Si están involucrados catalizadores metálicos (como Fe, Ni, Mn, Co, etc. y sus aleaciones), las condiciones de temperatura y presión requeridas para que el grafito se convierta en diamante se reducirán en gran medida, por lo que los diamantes sintéticos actuales de alta temperatura y alta presión todos tienen participación de metal Catalyst. El catalizador metálico como disolvente se encuentra entre la fuente de carbono (generalmente grafito) y el cristal semilla de diamante. La fuente de carbono está en el extremo de alta temperatura y el cristal semilla está en el extremo de baja temperatura. Dado que la solubilidad de la fuente de carbono en el extremo de alta temperatura es mayor que la del extremo de baja temperatura, la diferencia de solubilidad causada por la diferencia de temperatura se convierte en la fuerza impulsora para la difusión de la fuente de carbono desde el extremo de alta temperatura a la baja temperatura. fin. El cristal semilla se precipita gradualmente y el cristal de diamante crece gradualmente. Dado que la fuerza impulsora del crecimiento de los cristales es causada por la diferencia de temperatura, este método también se denomina método de diferencia de temperatura.

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Las características básicas del diamante sintético de alta temperatura y alta presión

Los diamantes sintéticos HTHP son a menudo cubos, octaedros y la combinación de los dos. El color es a menudo amarillo, marrón amarillento y las características internas, como bandas de colores e inclusiones metálicas, son comunes. Las inclusiones de metal sin fundir tienen forma de aguja, escamas y pequeñas columnas. O apariencia irregular con brillo metálico, lo que hace que los diamantes hpht sean magnéticos.

Los diamantes sintéticos generalmente no tienen fluorescencia bajo luz ultravioleta de onda larga y, a menudo, tienen fluorescencia amarilla, verde-amarilla, naranja-amarilla bajo longitud de onda corta. Los diamantes sintéticos tienen bandas características bajo rayos ultravioleta o catódicos de onda ultracorta. Las diferentes áreas de crecimiento muestran diferentes colores de banda de fluorescencia.

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Aplicación de diamante sintético de alta temperatura y alta presión

Los diamantes sintéticos de alta temperatura y alta presión (diamante HPHT) se utilizan principalmente en perforación (desde perforación de petróleo y corteza profunda hasta excavación de agujeros en dientes), corte (desde corte de mármol hasta corte de gemas), aeroespacial (desde ventanas de cabina hasta sondas espaciales ) e industria electrónica (desde instrumentos electrónicos) hasta chips de supercomputadora), intercambio de calor (desde grandes calderas hasta vajillas de cocina) y joyería y muchos otros campos.

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Especificación de diamantes lab grown

Talla Grado Marca
0.6-0.8ct 1A VVS-SI1 4.0-5.0mm
1B SI2-SI3
0.8-1.0ct 1A VVS-SI1 4.5-5.5mm
1B SI2-SI3
1.0-1.5ct 1A VVS-SI1 5.5-6.0mm
1B SI2-SI3
1.5-2.0ct 1A VVS-SI1 5.5-6.5mm
1B SI2-SI3
2.0-2.5ct 1A VVS-SI1 6.5-7.5mm
1B SI2-SI3
2.5-3.0ct 1A VVS-SI1 7.0-8.0mm
1B SI2-SI3
3.0-4.0ct 1A VVS-SI1 7.0-8.5mm
1B SI2-SI3
4.0-5.0ct 1A VVS-SI1 7.5-9.0mm
1B SI2-SI3
5.0-6.0ct 1A VVS-SI1 8.5-10mm
1B SI2-SI3
6.0-7.0ct 1A VVS-SI1 9.0-10.5mm
1B SI2-SI3
7.0-8.0ct 1A VVS-SI1 9.0-11mm
1B SI2-SI3
8.0ct+ 1A VVS-SI1 9mm+
1B SI2-SI3

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